河北工業(yè)大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)同等學(xué)力申碩班 2025-03-01 11:24:41
課程介紹
發(fā)布日期：2025-03-01 11:24:41
河北工業(yè)大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)同等學(xué)力申碩班 電子科學(xué)技術(shù)學(xué)科具有碩士、博士學(xué)位授權(quán)和博士后科研流動(dòng)站，是河北省國(guó)家重點(diǎn)學(xué)科培育學(xué)科，是河北工業(yè)大學(xué)國(guó)家“學(xué)科”重點(diǎn)建設(shè)學(xué)科群成員之一，其二級(jí)學(xué)科“微電子學(xué)與固體電子學(xué)”是河北省重點(diǎn)學(xué)科。
本學(xué)科在微電子技術(shù)與材料、微納光電子材料與器件、新型光電信息功能材料與器件、射頻與毫米波技術(shù)等研究領(lǐng)域，堅(jiān)持圍繞國(guó)家發(fā)展戰(zhàn)略、緊密結(jié)合國(guó)家和地方社會(huì)經(jīng)濟(jì)發(fā)展的需要開(kāi)展科技創(chuàng)新、人才培養(yǎng)和服務(wù)社會(huì)，承擔(dān)了一大批包括國(guó)家中長(zhǎng)期科技發(fā)展規(guī)劃重大專項(xiàng)項(xiàng)目、國(guó)家“863”項(xiàng)目、國(guó)家自然科學(xué)基金項(xiàng)目、總裝備部軍事預(yù)研基金項(xiàng)目等國(guó)家和省部級(jí)科研項(xiàng)目及企業(yè)委托項(xiàng)目，獲得國(guó)家技術(shù)發(fā)明獎(jiǎng)五項(xiàng)，河北省科技突出貢獻(xiàn)獎(jiǎng)、天津市技術(shù)發(fā)明一等獎(jiǎng)等省部級(jí)科技獎(jiǎng)勵(lì)30多項(xiàng)，近五年獲中國(guó)和美國(guó)發(fā)明專利60多項(xiàng)，為促進(jìn)技術(shù)進(jìn)步和行業(yè)發(fā)展做出了應(yīng)有的貢獻(xiàn)。
學(xué)習(xí)年限
學(xué)習(xí)年限一般為3年，最長(zhǎng)可延至4年。對(duì)于少數(shù)學(xué)業(yè)特別優(yōu)秀(學(xué)術(shù)成果突出)的碩士生，本人提出申請(qǐng)，經(jīng)學(xué)院和研究生院批準(zhǔn)后，可適當(dāng)縮短學(xué)習(xí)年限。
學(xué)分要求
碩士生課程學(xué)習(xí)實(shí)行學(xué)分制，要求總學(xué)分不少于27學(xué)分(含其他培養(yǎng)環(huán)節(jié))。必修課程須修讀7學(xué)分;核心課程修讀不少于9學(xué)分;選修課程修讀不少于9學(xué)分，其中普通培養(yǎng)方向跨一級(jí)學(xué)科選修課程修讀不少于2學(xué)分，交叉人才培養(yǎng)方向跨一級(jí)學(xué)科選修課程修讀不少于4學(xué)分;學(xué)術(shù)報(bào)告及學(xué)術(shù)活動(dòng)各1學(xué)分，均須在第四學(xué)期結(jié)束前完成。
畢業(yè)論文工作計(jì)劃
1.碩士生完成課程學(xué)習(xí)后，進(jìn)入畢業(yè)論文工作兩周內(nèi)，應(yīng)制訂畢業(yè)論文工作計(jì)劃，經(jīng)學(xué)科和學(xué)院審批后執(zhí)行。
2.畢業(yè)論文工作計(jì)劃要求說(shuō)明研究方向和課題來(lái)源，制定出文獻(xiàn)研究、開(kāi)題報(bào)告、論文中期報(bào)告、論文撰寫(xiě)和論文答辯等具體進(jìn)度安排。
3.畢業(yè)論文工作計(jì)劃執(zhí)行過(guò)程中，要詳細(xì)記錄調(diào)整情況，如需變更，需經(jīng)導(dǎo)師、學(xué)科、學(xué)院和研究生學(xué)院審批。
培養(yǎng)方向
1、低功耗高速電子器件及電磁兼容技術(shù)
本方向針對(duì)當(dāng)今電子器件與集成電路技術(shù)中的低功耗高速電子器件及電磁兼容技術(shù)開(kāi)展研究，內(nèi)容包括低功耗高密度微納電子集成技術(shù)研究，納米射頻電子、綠色電子技術(shù)，電磁兼容等。在高速低功耗三維納米集成電路及其系統(tǒng)集成封裝技術(shù)、高速器件電磁兼容分析方面形成了鮮明特色。
2、微納光電子材料與器件
本研究方向主要研究新型發(fā)光材料、器件和顯示技術(shù)，包括新型量子點(diǎn)異質(zhì)結(jié)構(gòu)和摻雜結(jié)構(gòu)，超高穩(wěn)定性納米熒光粉微晶復(fù)合物及反應(yīng)和結(jié)構(gòu)機(jī)理研究，相關(guān)光學(xué)和電子封裝材料及技術(shù)設(shè)計(jì)與開(kāi)發(fā)，量子點(diǎn)熒光薄膜打印技術(shù)及基于量子點(diǎn)熒光粉的點(diǎn)陣式量子點(diǎn)顯示屏。半導(dǎo)體發(fā)光器件主要研究新型低維器件性能，機(jī)理及應(yīng)用(如量子點(diǎn)，納米線，多量子井超晶格異質(zhì)結(jié)等)和III-V族氮化物發(fā)光二極管(如紫外和單芯片白光等)。探索新型半導(dǎo)體激光器結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、制備技術(shù)、性能測(cè)試及機(jī)理等。
3、光電功能材料與器件
本研究方向主要面向信息網(wǎng)絡(luò)和信息產(chǎn)業(yè)的發(fā)展需求，從材料和器件基礎(chǔ)及應(yīng)用層面開(kāi)展研究工作。主要研究新型特種光纖理論及關(guān)鍵技術(shù)、新型光電器件理論與技術(shù)、光傳感技術(shù)及在重大公共基礎(chǔ)設(shè)施的安全及其健康監(jiān)測(cè)應(yīng)用、全光邏輯器件及光信息處理、新型電子材料與器件、太赫茲材料與器件。
4、微電子技術(shù)與材料
本方向主要研究信息材料表面性能、超精細(xì)加工理論與技術(shù)的研究，系統(tǒng)研究微電子、光電子等固體材料表面超精密加工、集成電路襯底及多層布線化學(xué)機(jī)械全局平面化(CMP)理論及技術(shù)，開(kāi)創(chuàng)了以化學(xué)絡(luò)合胺化為技術(shù)路線CMP材料和工藝技術(shù)、專用電路和分立器件襯底硅單晶拋光、清洗材料與工藝技術(shù)、硅單晶片應(yīng)力消除技術(shù)、缺陷控制利用技術(shù)。
5、高功率激光及其與物質(zhì)相互作用
本方向圍繞高功率激光前沿領(lǐng)域和國(guó)家重大應(yīng)用需求，重點(diǎn)開(kāi)展高功率激光技術(shù)、高功率激光器件、高功率激光與物質(zhì)相互作用、高功率激光應(yīng)用等方面的研究。
6、電子技術(shù)與智能系統(tǒng)
圍繞電子信息領(lǐng)域的信息采集、信息傳輸以及信息處理等關(guān)鍵技術(shù)問(wèn)題，開(kāi)展多元信息采集、圖像與語(yǔ)音信號(hào)處理、信息感知與機(jī)器學(xué)習(xí)、網(wǎng)絡(luò)傳輸技術(shù)、多信息融合以及嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)等方面的研究，并廣泛應(yīng)用于智能交通、環(huán)境保護(hù)、公共安全、農(nóng)業(yè)生產(chǎn)、工業(yè)產(chǎn)品檢測(cè)、智能家居等領(lǐng)域。
培養(yǎng)目標(biāo)
堅(jiān)持黨的基本路線，熱愛(ài)祖國(guó)，遵紀(jì)守法，品德優(yōu)良，善于與人合作;勤奮學(xué)習(xí)，刻苦鉆研，勇于創(chuàng)新，努力掌握現(xiàn)代科學(xué)文化知識(shí)，成為思想道德素質(zhì)、科學(xué)文化素質(zhì)、身體心理素質(zhì)全面發(fā)展的高層次人才。
掌握電子科學(xué)與技術(shù)學(xué)科堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)理論、系統(tǒng)的專門(mén)知識(shí)和現(xiàn)代實(shí)驗(yàn)方法及技能，熟悉所從事研究領(lǐng)域的發(fā)展動(dòng)向，具有從事科學(xué)研究工作或獨(dú)立擔(dān)負(fù)專門(mén)技術(shù)工作的能力。
至少掌握一門(mén)外國(guó)語(yǔ)，能熟練地閱讀本學(xué)科外文資料，具有較強(qiáng)的寫(xiě)作能力和學(xué)術(shù)交流能力。
課程導(dǎo)航
北京匯聚英才教育開(kāi)課校區(qū)
